Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTA1N200P3HV
MOSFET N-CH 2000V 1A TO-263HV
Číslo dílu
IXTA1N200P3HV
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
TO-263 (IXTA)
Ztráta energie (max.)
125W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
2000V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
40 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
23.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
646pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 32658 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXTA1N200P3HV
IXTA1N200P3HV Elektronické komponenty
IXTA1N200P3HV Odbyt
IXTA1N200P3HV Dodavatel
IXTA1N200P3HV Distributor
IXTA1N200P3HV Datová tabulka
IXTA1N200P3HV Fotky
IXTA1N200P3HV Cena
IXTA1N200P3HV Nabídka
IXTA1N200P3HV Nejnižší cena
IXTA1N200P3HV Vyhledávání
IXTA1N200P3HV Nákup
IXTA1N200P3HV Chip