Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTA1N170DHV
MOSFET N-CH 1700V 1A TO-263
Číslo dílu
IXTA1N170DHV
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
TO-263
Ztráta energie (max.)
290W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
Depletion Mode
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1700V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
16 Ohm @ 500mA, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
47nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3090pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 40789 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXTA1N170DHV
IXTA1N170DHV Elektronické komponenty
IXTA1N170DHV Odbyt
IXTA1N170DHV Dodavatel
IXTA1N170DHV Distributor
IXTA1N170DHV Datová tabulka
IXTA1N170DHV Fotky
IXTA1N170DHV Cena
IXTA1N170DHV Nabídka
IXTA1N170DHV Nejnižší cena
IXTA1N170DHV Vyhledávání
IXTA1N170DHV Nákup
IXTA1N170DHV Chip