Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFX160N30T
MOSFET N-CH 300V 160A PLUS247
Číslo dílu
IXFX160N30T
Výrobce/značka
Série
GigaMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
PLUS247™-3
Ztráta energie (max.)
1390W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
300V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
160A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
19 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
335nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
28000pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 14597 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFX160N30T
IXFX160N30T Elektronické komponenty
IXFX160N30T Odbyt
IXFX160N30T Dodavatel
IXFX160N30T Distributor
IXFX160N30T Datová tabulka
IXFX160N30T Fotky
IXFX160N30T Cena
IXFX160N30T Nabídka
IXFX160N30T Nejnižší cena
IXFX160N30T Vyhledávání
IXFX160N30T Nákup
IXFX160N30T Chip