Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFX12N90Q
MOSFET N-CH 900V 12A PLUS247
Číslo dílu
IXFX12N90Q
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Bulk
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
PLUS247™-3
Ztráta energie (max.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
900V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
900 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
90nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2900pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 44343 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFX12N90Q
IXFX12N90Q Elektronické komponenty
IXFX12N90Q Odbyt
IXFX12N90Q Dodavatel
IXFX12N90Q Distributor
IXFX12N90Q Datová tabulka
IXFX12N90Q Fotky
IXFX12N90Q Cena
IXFX12N90Q Nabídka
IXFX12N90Q Nejnižší cena
IXFX12N90Q Vyhledávání
IXFX12N90Q Nákup
IXFX12N90Q Chip