Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFV30N50P
MOSFET N-CH 500V 30A PLUS220
Číslo dílu
IXFV30N50P
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™, PolarHT™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3, Short Tab
Dodavatelský balíček zařízení
PLUS220
Ztráta energie (max.)
460W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
200 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
70nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4150pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 46986 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFV30N50P
IXFV30N50P Elektronické komponenty
IXFV30N50P Odbyt
IXFV30N50P Dodavatel
IXFV30N50P Distributor
IXFV30N50P Datová tabulka
IXFV30N50P Fotky
IXFV30N50P Cena
IXFV30N50P Nabídka
IXFV30N50P Nejnižší cena
IXFV30N50P Vyhledávání
IXFV30N50P Nákup
IXFV30N50P Chip