Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFT86N30T
MOSFET N-CH 300V 86A TO268
Číslo dílu
IXFT86N30T
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™, TrenchT2™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-268
Ztráta energie (max.)
860W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
300V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
86A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
43 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
180nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
11300pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 17194 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFT86N30T
IXFT86N30T Elektronické komponenty
IXFT86N30T Odbyt
IXFT86N30T Dodavatel
IXFT86N30T Distributor
IXFT86N30T Datová tabulka
IXFT86N30T Fotky
IXFT86N30T Cena
IXFT86N30T Nabídka
IXFT86N30T Nejnižší cena
IXFT86N30T Vyhledávání
IXFT86N30T Nákup
IXFT86N30T Chip