Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFT58N20
MOSFET N-CH 200V 58A TO-268
Číslo dílu
IXFT58N20
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-268
Ztráta energie (max.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
40 mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
220nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4400pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 41426 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFT58N20
IXFT58N20 Elektronické komponenty
IXFT58N20 Odbyt
IXFT58N20 Dodavatel
IXFT58N20 Distributor
IXFT58N20 Datová tabulka
IXFT58N20 Fotky
IXFT58N20 Cena
IXFT58N20 Nabídka
IXFT58N20 Nejnižší cena
IXFT58N20 Vyhledávání
IXFT58N20 Nákup
IXFT58N20 Chip