Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFT50N85XHV
850V/50A ULTRA JUNCTION X-CLASS
Číslo dílu
IXFT50N85XHV
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-268
Ztráta energie (max.)
890W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
850V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
105 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
152nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4480pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 31846 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFT50N85XHV
IXFT50N85XHV Elektronické komponenty
IXFT50N85XHV Odbyt
IXFT50N85XHV Dodavatel
IXFT50N85XHV Distributor
IXFT50N85XHV Datová tabulka
IXFT50N85XHV Fotky
IXFT50N85XHV Cena
IXFT50N85XHV Nabídka
IXFT50N85XHV Nejnižší cena
IXFT50N85XHV Vyhledávání
IXFT50N85XHV Nákup
IXFT50N85XHV Chip