Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFT320N10T2
MOSFET N-CH 100V 320A TO-26
Číslo dílu
IXFT320N10T2
Výrobce/značka
Série
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-268
Ztráta energie (max.)
1000W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
320A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
430nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
26000pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 41707 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFT320N10T2
IXFT320N10T2 Elektronické komponenty
IXFT320N10T2 Odbyt
IXFT320N10T2 Dodavatel
IXFT320N10T2 Distributor
IXFT320N10T2 Datová tabulka
IXFT320N10T2 Fotky
IXFT320N10T2 Cena
IXFT320N10T2 Nabídka
IXFT320N10T2 Nejnižší cena
IXFT320N10T2 Vyhledávání
IXFT320N10T2 Nákup
IXFT320N10T2 Chip