Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFT30N85XHV
MOSFET N-CH 850V 30A TO268
Číslo dílu
IXFT30N85XHV
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-268 (IXFT)
Ztráta energie (max.)
695W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
850V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
220 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 2.5mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
68nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2460pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 31436 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFT30N85XHV
IXFT30N85XHV Elektronické komponenty
IXFT30N85XHV Odbyt
IXFT30N85XHV Dodavatel
IXFT30N85XHV Distributor
IXFT30N85XHV Datová tabulka
IXFT30N85XHV Fotky
IXFT30N85XHV Cena
IXFT30N85XHV Nabídka
IXFT30N85XHV Nejnižší cena
IXFT30N85XHV Vyhledávání
IXFT30N85XHV Nákup
IXFT30N85XHV Chip