Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFT20N60Q
MOSFET N-CH 600V 20A TO-268
Číslo dílu
IXFT20N60Q
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Last Time Buy
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-268
Ztráta energie (max.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
350 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
90nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3300pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 43738 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFT20N60Q
IXFT20N60Q Elektronické komponenty
IXFT20N60Q Odbyt
IXFT20N60Q Dodavatel
IXFT20N60Q Distributor
IXFT20N60Q Datová tabulka
IXFT20N60Q Fotky
IXFT20N60Q Cena
IXFT20N60Q Nabídka
IXFT20N60Q Nejnižší cena
IXFT20N60Q Vyhledávání
IXFT20N60Q Nákup
IXFT20N60Q Chip