Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFT150N17T2
MOSFET N-CH
Číslo dílu
IXFT150N17T2
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™, TrenchT2™
Stav sekce
Active
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-268
Ztráta energie (max.)
880W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
175V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
150A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
12 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
233nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
14600pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 23752 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFT150N17T2
IXFT150N17T2 Elektronické komponenty
IXFT150N17T2 Odbyt
IXFT150N17T2 Dodavatel
IXFT150N17T2 Distributor
IXFT150N17T2 Datová tabulka
IXFT150N17T2 Fotky
IXFT150N17T2 Cena
IXFT150N17T2 Nabídka
IXFT150N17T2 Nejnižší cena
IXFT150N17T2 Vyhledávání
IXFT150N17T2 Nákup
IXFT150N17T2 Chip