Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFR34N80
MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247
Číslo dílu
IXFR34N80
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
ISOPLUS247™
Dodavatelský balíček zařízení
ISOPLUS247™
Ztráta energie (max.)
416W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
240 mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 8mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
270nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7500pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 47276 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFR34N80
IXFR34N80 Elektronické komponenty
IXFR34N80 Odbyt
IXFR34N80 Dodavatel
IXFR34N80 Distributor
IXFR34N80 Datová tabulka
IXFR34N80 Fotky
IXFR34N80 Cena
IXFR34N80 Nabídka
IXFR34N80 Nejnižší cena
IXFR34N80 Vyhledávání
IXFR34N80 Nákup
IXFR34N80 Chip