Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFR180N10
MOSFET N-CH 100V 165A ISOPLUS247
Číslo dílu
IXFR180N10
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
ISOPLUS247™
Dodavatelský balíček zařízení
ISOPLUS247™
Ztráta energie (max.)
400W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
165A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8 mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 8mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
400nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
9400pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 26632 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFR180N10
IXFR180N10 Elektronické komponenty
IXFR180N10 Odbyt
IXFR180N10 Dodavatel
IXFR180N10 Distributor
IXFR180N10 Datová tabulka
IXFR180N10 Fotky
IXFR180N10 Cena
IXFR180N10 Nabídka
IXFR180N10 Nejnižší cena
IXFR180N10 Vyhledávání
IXFR180N10 Nákup
IXFR180N10 Chip