Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFR16N120P
MOSFET N-CH 1200V 9A ISOPLUS247
Číslo dílu
IXFR16N120P
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™, PolarP2™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
ISOPLUS247™
Dodavatelský balíček zařízení
ISOPLUS247™
Ztráta energie (max.)
230W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.04 Ohm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6900pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 36534 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFR16N120P
IXFR16N120P Elektronické komponenty
IXFR16N120P Odbyt
IXFR16N120P Dodavatel
IXFR16N120P Distributor
IXFR16N120P Datová tabulka
IXFR16N120P Fotky
IXFR16N120P Cena
IXFR16N120P Nabídka
IXFR16N120P Nejnižší cena
IXFR16N120P Vyhledávání
IXFR16N120P Nákup
IXFR16N120P Chip