Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFR14N100Q2
MOSFET N-CH 1KV 9.5A ISOPLUS247
Číslo dílu
IXFR14N100Q2
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
ISOPLUS247™
Dodavatelský balíček zařízení
ISOPLUS247™
Ztráta energie (max.)
200W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1000V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.1 Ohm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
83nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2700pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 24747 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFR14N100Q2
IXFR14N100Q2 Elektronické komponenty
IXFR14N100Q2 Odbyt
IXFR14N100Q2 Dodavatel
IXFR14N100Q2 Distributor
IXFR14N100Q2 Datová tabulka
IXFR14N100Q2 Fotky
IXFR14N100Q2 Cena
IXFR14N100Q2 Nabídka
IXFR14N100Q2 Nejnižší cena
IXFR14N100Q2 Vyhledávání
IXFR14N100Q2 Nákup
IXFR14N100Q2 Chip