Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFQ60N25X3
MOSFET N-CHANNEL 250V 60A TO3P
Číslo dílu
IXFQ60N25X3
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-3P
Ztráta energie (max.)
320W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
250V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
23 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.5mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3610pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 10015 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFQ60N25X3
IXFQ60N25X3 Elektronické komponenty
IXFQ60N25X3 Odbyt
IXFQ60N25X3 Dodavatel
IXFQ60N25X3 Distributor
IXFQ60N25X3 Datová tabulka
IXFQ60N25X3 Fotky
IXFQ60N25X3 Cena
IXFQ60N25X3 Nabídka
IXFQ60N25X3 Nejnižší cena
IXFQ60N25X3 Vyhledávání
IXFQ60N25X3 Nákup
IXFQ60N25X3 Chip