Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFP38N30X3M
FET N-CHANNEL
Číslo dílu
IXFP38N30X3M
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220 Isolated Tab
Ztráta energie (max.)
34W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
300V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
38A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 15V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2440pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
-
VGS (max.)
-
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 30891 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFP38N30X3M
IXFP38N30X3M Elektronické komponenty
IXFP38N30X3M Odbyt
IXFP38N30X3M Dodavatel
IXFP38N30X3M Distributor
IXFP38N30X3M Datová tabulka
IXFP38N30X3M Fotky
IXFP38N30X3M Cena
IXFP38N30X3M Nabídka
IXFP38N30X3M Nejnižší cena
IXFP38N30X3M Vyhledávání
IXFP38N30X3M Nákup
IXFP38N30X3M Chip