Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFP20N50P3M
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220
Číslo dílu
IXFP20N50P3M
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™, Polar3™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
58W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
300 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1.5mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1800pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 40256 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFP20N50P3M
IXFP20N50P3M Elektronické komponenty
IXFP20N50P3M Odbyt
IXFP20N50P3M Dodavatel
IXFP20N50P3M Distributor
IXFP20N50P3M Datová tabulka
IXFP20N50P3M Fotky
IXFP20N50P3M Cena
IXFP20N50P3M Nabídka
IXFP20N50P3M Nejnižší cena
IXFP20N50P3M Vyhledávání
IXFP20N50P3M Nákup
IXFP20N50P3M Chip