Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFN90N30
MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B
Číslo dílu
IXFN90N30
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-227B
Ztráta energie (max.)
560W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
300V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
33 mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 8mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
360nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
10000pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 22445 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFN90N30
IXFN90N30 Elektronické komponenty
IXFN90N30 Odbyt
IXFN90N30 Dodavatel
IXFN90N30 Distributor
IXFN90N30 Datová tabulka
IXFN90N30 Fotky
IXFN90N30 Cena
IXFN90N30 Nabídka
IXFN90N30 Nejnižší cena
IXFN90N30 Vyhledávání
IXFN90N30 Nákup
IXFN90N30 Chip