Koupit IXYS IXFN82N60Q3 MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

Zobrazit více informací DataSheets

IXFN82N60Q3

MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227

Číslo dílu

IXFN82N60Q3

Výrobce/značka

IXYS

Série

HiPerFET™

Stav sekce

Active

Obal

Tube

Technika

MOSFET (Metal Oxide)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Chassis Mount

Balíček/pouzdro

SOT-227-4, miniBLOC

Dodavatelský balíček zařízení

SOT-227B

Ztráta energie (max.)

960W (Tc)

Typ FET

N-Channel

Funkce FET

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

600V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

66A (Tc)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

75 mOhm @ 41A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

6.5V @ 8mA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

275nC @ 10V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

13500pF @ 25V

Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)

10V

VGS (max.)

±30V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 38722 PCS

Kontaktní informace

Související produkty

IXFN100N10S1