Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFN73N30Q

IXFN73N30Q

MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B
Číslo dílu
IXFN73N30Q
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-227B
Ztráta energie (max.)
481W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
300V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
73A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
45 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
195nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5400pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20696 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IXFN73N30Q
IXFN73N30Q Elektronické komponenty
IXFN73N30Q Odbyt
IXFN73N30Q Dodavatel
IXFN73N30Q Distributor
IXFN73N30Q Datová tabulka
IXFN73N30Q Fotky
IXFN73N30Q Cena
IXFN73N30Q Nabídka
IXFN73N30Q Nejnižší cena
IXFN73N30Q Vyhledávání
IXFN73N30Q Nákup
IXFN73N30Q Chip