Koupit IXYS IXFN360N10T MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

Zobrazit více informací DataSheets

IXFN360N10T

MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B

Číslo dílu

IXFN360N10T

Výrobce/značka

IXYS

Série

HiPerFET™

Stav sekce

Active

Obal

Tube

Technika

MOSFET (Metal Oxide)

Provozní teplota

-55°C ~ 175°C (TJ)

Typ montáže

Chassis Mount

Balíček/pouzdro

SOT-227-4, miniBLOC

Dodavatelský balíček zařízení

SOT-227B

Ztráta energie (max.)

830W (Tc)

Typ FET

N-Channel

Funkce FET

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

100V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

360A (Tc)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

2.6 mOhm @ 180A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

505nC @ 10V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

36000pF @ 25V

Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)

10V

VGS (max.)

±20V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 48161 PCS

Kontaktní informace

Související produkty

IXFN100N10S1