Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFN320N17T2
MOSFET N-CH 170V 260A SOT227
Číslo dílu
IXFN320N17T2
Výrobce/značka
Série
GigaMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-227B
Ztráta energie (max.)
1070W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
170V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
260A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
5.2 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
640nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
45000pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 43099 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFN320N17T2
IXFN320N17T2 Elektronické komponenty
IXFN320N17T2 Odbyt
IXFN320N17T2 Dodavatel
IXFN320N17T2 Distributor
IXFN320N17T2 Datová tabulka
IXFN320N17T2 Fotky
IXFN320N17T2 Cena
IXFN320N17T2 Nabídka
IXFN320N17T2 Nejnižší cena
IXFN320N17T2 Vyhledávání
IXFN320N17T2 Nákup
IXFN320N17T2 Chip