Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFN26N90
MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B
Číslo dílu
IXFN26N90
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-227B
Ztráta energie (max.)
600W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
900V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
300 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
240nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
10800pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 45259 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFN26N90
IXFN26N90 Elektronické komponenty
IXFN26N90 Odbyt
IXFN26N90 Dodavatel
IXFN26N90 Distributor
IXFN26N90 Datová tabulka
IXFN26N90 Fotky
IXFN26N90 Cena
IXFN26N90 Nabídka
IXFN26N90 Nejnižší cena
IXFN26N90 Vyhledávání
IXFN26N90 Nákup
IXFN26N90 Chip