Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFN25N90
MOSFET N-CH 900V 25A SOT-227B
Číslo dílu
IXFN25N90
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-227B
Ztráta energie (max.)
600W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
900V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
330 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
240nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
10800pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 5121 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFN25N90
IXFN25N90 Elektronické komponenty
IXFN25N90 Odbyt
IXFN25N90 Dodavatel
IXFN25N90 Distributor
IXFN25N90 Datová tabulka
IXFN25N90 Fotky
IXFN25N90 Cena
IXFN25N90 Nabídka
IXFN25N90 Nejnižší cena
IXFN25N90 Vyhledávání
IXFN25N90 Nákup
IXFN25N90 Chip