Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFN230N10

IXFN230N10

MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B
Číslo dílu
IXFN230N10
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-227B
Ztráta energie (max.)
700W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
230A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 8mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
570nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
19000pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 40636 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IXFN230N10
IXFN230N10 Elektronické komponenty
IXFN230N10 Odbyt
IXFN230N10 Dodavatel
IXFN230N10 Distributor
IXFN230N10 Datová tabulka
IXFN230N10 Fotky
IXFN230N10 Cena
IXFN230N10 Nabídka
IXFN230N10 Nejnižší cena
IXFN230N10 Vyhledávání
IXFN230N10 Nákup
IXFN230N10 Chip