Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFN180N25T
MOSFET N-CH 250V 168A SOT-227
Číslo dílu
IXFN180N25T
Výrobce/značka
Série
GigaMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-227B
Ztráta energie (max.)
900W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
250V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
168A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
12.9 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
345nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
28000pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 43028 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFN180N25T
IXFN180N25T Elektronické komponenty
IXFN180N25T Odbyt
IXFN180N25T Dodavatel
IXFN180N25T Distributor
IXFN180N25T Datová tabulka
IXFN180N25T Fotky
IXFN180N25T Cena
IXFN180N25T Nabídka
IXFN180N25T Nejnižší cena
IXFN180N25T Vyhledávání
IXFN180N25T Nákup
IXFN180N25T Chip