Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFN180N15P

IXFN180N15P

MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B
Číslo dílu
IXFN180N15P
Výrobce/značka
Série
PolarHT™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-227B
Ztráta energie (max.)
680W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
150V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
150A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
11 mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
240nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7000pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 35608 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IXFN180N15P
IXFN180N15P Elektronické komponenty
IXFN180N15P Odbyt
IXFN180N15P Dodavatel
IXFN180N15P Distributor
IXFN180N15P Datová tabulka
IXFN180N15P Fotky
IXFN180N15P Cena
IXFN180N15P Nabídka
IXFN180N15P Nejnižší cena
IXFN180N15P Vyhledávání
IXFN180N15P Nákup
IXFN180N15P Chip