Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFN170N25X3

IXFN170N25X3

MOSFET N-CH 250V 170A SOT227B
Číslo dílu
IXFN170N25X3
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-227B
Ztráta energie (max.)
390W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
250V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
170A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
7.4 mOhm @ 85A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
190nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
13500pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 34449 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IXFN170N25X3
IXFN170N25X3 Elektronické komponenty
IXFN170N25X3 Odbyt
IXFN170N25X3 Dodavatel
IXFN170N25X3 Distributor
IXFN170N25X3 Datová tabulka
IXFN170N25X3 Fotky
IXFN170N25X3 Cena
IXFN170N25X3 Nabídka
IXFN170N25X3 Nejnižší cena
IXFN170N25X3 Vyhledávání
IXFN170N25X3 Nákup
IXFN170N25X3 Chip