Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFN140N30P

IXFN140N30P

MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B
Číslo dílu
IXFN140N30P
Výrobce/značka
Série
Polar™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-227B
Ztráta energie (max.)
700W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
300V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
24 mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
185nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
14800pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48233 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IXFN140N30P
IXFN140N30P Elektronické komponenty
IXFN140N30P Odbyt
IXFN140N30P Dodavatel
IXFN140N30P Distributor
IXFN140N30P Datová tabulka
IXFN140N30P Fotky
IXFN140N30P Cena
IXFN140N30P Nabídka
IXFN140N30P Nejnižší cena
IXFN140N30P Vyhledávání
IXFN140N30P Nákup
IXFN140N30P Chip