Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFN140N20P
MOSFET N-CH 200V 115A SOT227B
Číslo dílu
IXFN140N20P
Výrobce/značka
Série
PolarHT™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-227B
Ztráta energie (max.)
680W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
115A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
18 mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
240nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7500pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V, 15V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 24849 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFN140N20P
IXFN140N20P Elektronické komponenty
IXFN140N20P Odbyt
IXFN140N20P Dodavatel
IXFN140N20P Distributor
IXFN140N20P Datová tabulka
IXFN140N20P Fotky
IXFN140N20P Cena
IXFN140N20P Nabídka
IXFN140N20P Nejnižší cena
IXFN140N20P Vyhledávání
IXFN140N20P Nákup
IXFN140N20P Chip