Koupit IXYS IXFN120N65X2 MOSFET N-CH 650V 108A SOT-227

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

Zobrazit více informací DataSheets

IXFN120N65X2

MOSFET N-CH 650V 108A SOT-227

Číslo dílu

IXFN120N65X2

Výrobce/značka

IXYS

Série

HiPerFET™

Stav sekce

Active

Obal

Tube

Technika

MOSFET (Metal Oxide)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Chassis Mount

Balíček/pouzdro

SOT-227-4, miniBLOC

Dodavatelský balíček zařízení

SOT-227B

Ztráta energie (max.)

890W (Tc)

Typ FET

N-Channel

Funkce FET

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

650V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

108A (Tc)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

24 mOhm @ 54A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5.5V @ 8mA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

225nC @ 10V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

15500pF @ 25V

Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)

10V

VGS (max.)

±30V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 7620 PCS

Kontaktní informace

Související produkty

IXFN100N10S1