Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFN102N30P
MOSFET N-CH 300V 88A SOT227B
Číslo dílu
IXFN102N30P
Výrobce/značka
Série
PolarHV™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-227B
Ztráta energie (max.)
600W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
300V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
88A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
33 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
224nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7500pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 46051 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFN102N30P
IXFN102N30P Elektronické komponenty
IXFN102N30P Odbyt
IXFN102N30P Dodavatel
IXFN102N30P Distributor
IXFN102N30P Datová tabulka
IXFN102N30P Fotky
IXFN102N30P Cena
IXFN102N30P Nabídka
IXFN102N30P Nejnižší cena
IXFN102N30P Vyhledávání
IXFN102N30P Nákup
IXFN102N30P Chip