Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFM67N10
POWER MOSFET TO-3
Číslo dílu
IXFM67N10
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Last Time Buy
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-204AE
Dodavatelský balíček zařízení
TO-204AE
Ztráta energie (max.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
67A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
25 mOhm @ 33.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
260nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4500pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 52143 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFM67N10
IXFM67N10 Elektronické komponenty
IXFM67N10 Odbyt
IXFM67N10 Dodavatel
IXFM67N10 Distributor
IXFM67N10 Datová tabulka
IXFM67N10 Fotky
IXFM67N10 Cena
IXFM67N10 Nabídka
IXFM67N10 Nejnižší cena
IXFM67N10 Vyhledávání
IXFM67N10 Nákup
IXFM67N10 Chip