Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFK88N30P
MOSFET N-CH 300V 88A TO-264
Číslo dílu
IXFK88N30P
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™, PolarP2™
Stav sekce
Active
Obal
Bulk
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-264-3, TO-264AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-264AA (IXFK)
Ztráta energie (max.)
600W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
300V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
88A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
40 mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
180nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6300pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 42638 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFK88N30P
IXFK88N30P Elektronické komponenty
IXFK88N30P Odbyt
IXFK88N30P Dodavatel
IXFK88N30P Distributor
IXFK88N30P Datová tabulka
IXFK88N30P Fotky
IXFK88N30P Cena
IXFK88N30P Nabídka
IXFK88N30P Nejnižší cena
IXFK88N30P Vyhledávání
IXFK88N30P Nákup
IXFK88N30P Chip