Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFK40N90P
MOSFET N-CH TO-264
Číslo dílu
IXFK40N90P
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™, PolarP2™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-264-3, TO-264AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-264AA (IXFK)
Ztráta energie (max.)
960W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
900V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
230 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
230nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
14000pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 23228 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFK40N90P
IXFK40N90P Elektronické komponenty
IXFK40N90P Odbyt
IXFK40N90P Dodavatel
IXFK40N90P Distributor
IXFK40N90P Datová tabulka
IXFK40N90P Fotky
IXFK40N90P Cena
IXFK40N90P Nabídka
IXFK40N90P Nejnižší cena
IXFK40N90P Vyhledávání
IXFK40N90P Nákup
IXFK40N90P Chip