Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFK360N10T
MOSFET N-CH 100V 360A TO-264
Číslo dílu
IXFK360N10T
Výrobce/značka
Série
GigaMOS™ HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-264-3, TO-264AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-264AA (IXFK)
Ztráta energie (max.)
1250W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
360A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 3mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
525nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
33000pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 26867 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFK360N10T
IXFK360N10T Elektronické komponenty
IXFK360N10T Odbyt
IXFK360N10T Dodavatel
IXFK360N10T Distributor
IXFK360N10T Datová tabulka
IXFK360N10T Fotky
IXFK360N10T Cena
IXFK360N10T Nabídka
IXFK360N10T Nejnižší cena
IXFK360N10T Vyhledávání
IXFK360N10T Nákup
IXFK360N10T Chip