Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFK26N120P
MOSFET N-CH 1200V 26A TO-264
Číslo dílu
IXFK26N120P
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™, PolarP2™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-264-3, TO-264AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-264AA (IXFK)
Ztráta energie (max.)
960W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
460 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
225nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
16000pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 38199 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFK26N120P
IXFK26N120P Elektronické komponenty
IXFK26N120P Odbyt
IXFK26N120P Dodavatel
IXFK26N120P Distributor
IXFK26N120P Datová tabulka
IXFK26N120P Fotky
IXFK26N120P Cena
IXFK26N120P Nabídka
IXFK26N120P Nejnižší cena
IXFK26N120P Vyhledávání
IXFK26N120P Nákup
IXFK26N120P Chip