Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFK180N25T
MOSFET N-CH 250V 180A TO-264
Číslo dílu
IXFK180N25T
Výrobce/značka
Série
GigaMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-264-3, TO-264AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-264AA (IXFK)
Ztráta energie (max.)
1390W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
250V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
12.9 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
345nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
28000pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 12645 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFK180N25T
IXFK180N25T Elektronické komponenty
IXFK180N25T Odbyt
IXFK180N25T Dodavatel
IXFK180N25T Distributor
IXFK180N25T Datová tabulka
IXFK180N25T Fotky
IXFK180N25T Cena
IXFK180N25T Nabídka
IXFK180N25T Nejnižší cena
IXFK180N25T Vyhledávání
IXFK180N25T Nákup
IXFK180N25T Chip