Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFK170N20T
MOSFET N-CH 200V 170A TO-264
Číslo dílu
IXFK170N20T
Výrobce/značka
Série
GigaMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-264-3, TO-264AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-264AA (IXFK)
Ztráta energie (max.)
1150W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
170A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
11 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
265nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
19600pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 15733 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFK170N20T
IXFK170N20T Elektronické komponenty
IXFK170N20T Odbyt
IXFK170N20T Dodavatel
IXFK170N20T Distributor
IXFK170N20T Datová tabulka
IXFK170N20T Fotky
IXFK170N20T Cena
IXFK170N20T Nabídka
IXFK170N20T Nejnižší cena
IXFK170N20T Vyhledávání
IXFK170N20T Nákup
IXFK170N20T Chip