Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFK160N30T
MOSFET N-CH 300V 160A TO-264
Číslo dílu
IXFK160N30T
Výrobce/značka
Série
GigaMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-264-3, TO-264AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-264AA (IXFK)
Ztráta energie (max.)
1390W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
300V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
160A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
19 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
335nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
28000pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 40888 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFK160N30T
IXFK160N30T Elektronické komponenty
IXFK160N30T Odbyt
IXFK160N30T Dodavatel
IXFK160N30T Distributor
IXFK160N30T Datová tabulka
IXFK160N30T Fotky
IXFK160N30T Cena
IXFK160N30T Nabídka
IXFK160N30T Nejnižší cena
IXFK160N30T Vyhledávání
IXFK160N30T Nákup
IXFK160N30T Chip