Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFH76N15T2
MOSFET N-CH
Číslo dílu
IXFH76N15T2
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™, TrenchT2™
Stav sekce
Active
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247
Ztráta energie (max.)
350W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
150V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
76A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
22 mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
97nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5800pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20372 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFH76N15T2
IXFH76N15T2 Elektronické komponenty
IXFH76N15T2 Odbyt
IXFH76N15T2 Dodavatel
IXFH76N15T2 Distributor
IXFH76N15T2 Datová tabulka
IXFH76N15T2 Fotky
IXFH76N15T2 Cena
IXFH76N15T2 Nabídka
IXFH76N15T2 Nejnižší cena
IXFH76N15T2 Vyhledávání
IXFH76N15T2 Nákup
IXFH76N15T2 Chip