Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFH75N10
MOSFET N-CH 100V 75A TO-247AD
Číslo dílu
IXFH75N10
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247AD (IXFH)
Ztráta energie (max.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
20 mOhm @ 37.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
260nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4500pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 14525 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFH75N10
IXFH75N10 Elektronické komponenty
IXFH75N10 Odbyt
IXFH75N10 Dodavatel
IXFH75N10 Distributor
IXFH75N10 Datová tabulka
IXFH75N10 Fotky
IXFH75N10 Cena
IXFH75N10 Nabídka
IXFH75N10 Nejnižší cena
IXFH75N10 Vyhledávání
IXFH75N10 Nákup
IXFH75N10 Chip