Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFH70N20Q3

IXFH70N20Q3

MOSFET N-CH 200V 70A TO-247
Číslo dílu
IXFH70N20Q3
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247AD (IXFH)
Ztráta energie (max.)
690W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
40 mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
67nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3150pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 24266 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IXFH70N20Q3
IXFH70N20Q3 Elektronické komponenty
IXFH70N20Q3 Odbyt
IXFH70N20Q3 Dodavatel
IXFH70N20Q3 Distributor
IXFH70N20Q3 Datová tabulka
IXFH70N20Q3 Fotky
IXFH70N20Q3 Cena
IXFH70N20Q3 Nabídka
IXFH70N20Q3 Nejnižší cena
IXFH70N20Q3 Vyhledávání
IXFH70N20Q3 Nákup
IXFH70N20Q3 Chip