Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFH52N30Q
MOSFET N-CH 300V 52A TO-247AD
Číslo dílu
IXFH52N30Q
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247AD (IXFH)
Ztráta energie (max.)
360W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
300V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
52A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
60 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
150nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5300pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 33954 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFH52N30Q
IXFH52N30Q Elektronické komponenty
IXFH52N30Q Odbyt
IXFH52N30Q Dodavatel
IXFH52N30Q Distributor
IXFH52N30Q Datová tabulka
IXFH52N30Q Fotky
IXFH52N30Q Cena
IXFH52N30Q Nabídka
IXFH52N30Q Nejnižší cena
IXFH52N30Q Vyhledávání
IXFH52N30Q Nákup
IXFH52N30Q Chip