Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFH52N30P
MOSFET N-CH 300V 52A TO-247
Číslo dílu
IXFH52N30P
Výrobce/značka
Série
PolarHT™ HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247AD (IXFH)
Ztráta energie (max.)
400W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
300V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
52A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
66 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3490pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 23310 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFH52N30P
IXFH52N30P Elektronické komponenty
IXFH52N30P Odbyt
IXFH52N30P Dodavatel
IXFH52N30P Distributor
IXFH52N30P Datová tabulka
IXFH52N30P Fotky
IXFH52N30P Cena
IXFH52N30P Nabídka
IXFH52N30P Nejnižší cena
IXFH52N30P Vyhledávání
IXFH52N30P Nákup
IXFH52N30P Chip