Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFH50N30Q3
MOSFET N-CH 300V 50A TO-247
Číslo dílu
IXFH50N30Q3
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247AD (IXFH)
Ztráta energie (max.)
690W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
300V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
80 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3160pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 21187 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFH50N30Q3
IXFH50N30Q3 Elektronické komponenty
IXFH50N30Q3 Odbyt
IXFH50N30Q3 Dodavatel
IXFH50N30Q3 Distributor
IXFH50N30Q3 Datová tabulka
IXFH50N30Q3 Fotky
IXFH50N30Q3 Cena
IXFH50N30Q3 Nabídka
IXFH50N30Q3 Nejnižší cena
IXFH50N30Q3 Vyhledávání
IXFH50N30Q3 Nákup
IXFH50N30Q3 Chip