Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFH36N55Q
MOSFET N-CH 550V 36A TO-247
Číslo dílu
IXFH36N55Q
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247AD (IXFH)
Ztráta energie (max.)
500W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
550V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
160 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
128nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4500pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 17992 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFH36N55Q
IXFH36N55Q Elektronické komponenty
IXFH36N55Q Odbyt
IXFH36N55Q Dodavatel
IXFH36N55Q Distributor
IXFH36N55Q Datová tabulka
IXFH36N55Q Fotky
IXFH36N55Q Cena
IXFH36N55Q Nabídka
IXFH36N55Q Nejnižší cena
IXFH36N55Q Vyhledávání
IXFH36N55Q Nákup
IXFH36N55Q Chip