Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFH34N65X2
MOSFET N-CH 650V 34A TO-247
Číslo dílu
IXFH34N65X2
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247
Ztráta energie (max.)
540W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
105 mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 2.5mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
56nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3330pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 22722 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFH34N65X2
IXFH34N65X2 Elektronické komponenty
IXFH34N65X2 Odbyt
IXFH34N65X2 Dodavatel
IXFH34N65X2 Distributor
IXFH34N65X2 Datová tabulka
IXFH34N65X2 Fotky
IXFH34N65X2 Cena
IXFH34N65X2 Nabídka
IXFH34N65X2 Nejnižší cena
IXFH34N65X2 Vyhledávání
IXFH34N65X2 Nákup
IXFH34N65X2 Chip